反激电源多路输出的RCD吸收电路调整

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反激电源多路输出原理图如下： 重点讨论红色圈圈的RCD电路的调整，如何调整参数达到合理的数值。 R6=3.3K 1206封装,R31=3.3K  1206封装,C32=200V/100NF 1206封装，D8=ES1D，200V，1A，SMT封装。 机箱对充，满载200A，充放电（25℃）温升测试，发现RCD温升过高，温升数据如下： 充电温升数据如下， 放电温升数据如下, 用示波器实测C32=200V/100NF 1206封装的实际波形，未有起到有效吸收漏感造成的电压尖峰，下面的C32电压波形看到，电容的电压没有放完就进入下一个循环，在温度和波形的见证下，可见电容参数不合理。 决定调整RCD的参数，直到合理范围为止， 首先加大R6,R31的电阻，测试C32的波形如下，C32=22nF,R31=10K,R6=10K，同时监测了MOS管的Vds波形，观察一下电压尖峰的变化。 常温下测试的温度数据如下： 充电温升数据如下， 放电温升数据如下， 数据的整理分析， ………………………………