【华西计算机】 0903 | SEMI：上半年中国大陆芯片设备支出约1779亿元，超过了台、韩、美总和

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今日行情 （来源：Wind） 国内行业要闻 ►   4年自主研发！中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用 据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京），成功攻克沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造的关键技术。这也是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”。沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片因其卓越的性能，如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度，一直被视为半导体技术的前沿。 （来源：快科技） ►   SEMI：上半年中国大陆芯片设备支出约1779亿元，超过了台、韩、美总和 国际半导体产业协会（SEMI）报告称，今年上半年中国大陆在芯片制造设备上的支出达到1779亿元人民币，超过了韩国、中国台湾和美国的总和。中国大陆持续增加芯片设备投资，预计全年支出将达 ………………………………