产业革命？液相法制备碳化硅衬底实现交付！

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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）去年7月，电子发烧友曾报道了天岳先进展示了一种采用新的SiC晶体制备技术——液相法制备的低缺陷8英寸晶体。在今年4月底的2023年度业绩说明会上，天岳先进当时表示“目前公司是仅少数企业正在从事液相法作为新技术的研发，但液相法是前沿技术，尚未实现产业化大规模生产”。 然而让人意想不到的是，11月6日，天岳先进就宣布液相法制备的高质量低阻P型碳化硅衬底成功向客户交付的消息。这也意味着液相法制备碳化硅晶体的进展要比预期的更快。 液相法：碳化硅降本的关键路线 尽管今年以来碳化硅上下游都经历了一轮降价，但过去很长一段时间里，碳化硅晶体的生产效率一直是制约碳化硅产业扩张的重要原因之一。目前主流的SiC单晶制备，都是通过物理气相传输PVT法生长，核心的步骤包括将SiC粉料进行高 ………………………………