意法半导体第四代碳化硅功率技术问世！为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制

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❖ 到2025年，750V和1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。 ❖ 到2027年，ST计划推出多项碳化硅技术创新，包括一项突破性创新 。 意法半导体（ 简称：ST ）推出第四代STPOWER碳化硅（ Si C ）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。 意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器件、先进封装和电源模块方面创新， ………………………………