山东师范大学唐波、杨朋等Angew：聚合物后修饰新方法和正性光刻胶创制新原理——炔烃光羧基化反应

文章预览

光刻胶是微电子制造中的关键材料，其性能直接影响光刻工艺的分辨率和精度。目前进口正性光刻胶主要采用重氮萘醌磺酸酯的光解反应或光致产酸剂催化的Boc脱除反应两种工作机理，存在小分子添加剂太多影响薄膜机械性能和电学性能、合成步骤繁琐、曝光中产生的H + 易向未曝光区扩散，造成线边粗糙度增加等问题。 近年来，光化学反应由于其反应条件温和、反应速率快、可持续性强等优势引起了化学家们的关注。其中，光催化的羧基化反应可以产生水溶性优异的羧酸产物。 如果将小分子光反应拓展到聚合物的骨架中，含炔聚合物与羧酸聚合物在溶解度上的显著差异可通过光刻工艺中的曝光与显影步骤实现精确的图案转移，从而为正型光刻胶的设计提供新的研究方向。 近日， 山东师范大学 的 唐波 、 杨朋教授 团队联合 北京大学深圳研究生 ………………………………