2024, Nano Letters——铁掺杂在单层MoS₂中的应用：晶体域取向与电学性能的双重优化

文章预览

文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c03264 亮点： 1. 精准铁掺杂实现晶向控制 ：通过调节Fe掺杂量，成功实现单层MoS₂的单向对齐，有效控制晶体生长方向。 2. 降低接触电阻与提升迁移率 ：Fe掺杂使导带下移，肖特基势垒降低，实现了561 Ω μm的超低接触电阻和37.5 cm² V⁻¹ s⁻¹的高迁移率。 3. 理论与实验结合 ：通过理论计算与电子结构分析，揭示了铁掺杂的调控机制，为后续器件优化提供理论依据。             摘要 二维过渡金属二硫化物（TMDCs）的晶域取向调控与掺杂控制是实现大面积单晶合成和提升器件性能的两个关键任务。 然而，如何同时实现这两大目标并揭示其内部物理机制仍是极具挑战性的课题。本文提出了一种 精确的铁（Fe）掺杂策略，可以调控单层MoS₂的域取向并提高其电子迁移率 。通过调节Fe掺杂量，可形成不同 ………………………………