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文章链接： https://www.science.org/doi/10.1126/science.ado6038 Editor’s summary 通过界面外延，研究者成功制备了菱形结构的过渡金属二硫化物（3R-TMDs）单晶。这些单晶展现出比单层和六方结构（2H-TMDs）更高的电流密度和载流子迁移率。Qin等人将金属和硫族元素连续供应至单晶镍基底的界面，成功生长出一致的3R堆叠序列。通过该方法，研究者在晶圆尺度上实现了从几层到15,000层厚度的晶体生长，材料包括二硫化钼（MoS 2 ）、二硒化钨（WSe 2 ）和MoS 2(1-x) Se 2x 。这些材料展现出高载流子迁移率以及高效的非线性参数下转换性能。 —Phil Szuromi 摘要 菱面体堆叠过渡金属二硫属化物 (3R-TMD) 与六方体二硫属化物不同，它们表现出 更高的载流子迁移率、滑动铁电性和相干增强的非线性光学响应 。 然而，大型多层 3R-TMD 单晶的表面外延生长
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