南工大 刘雪洋，西湖大学陈虹宇Small Methods：弱配体调控下金纳米线在基底上的生长

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研究背景： 控制纳米晶体的形态是纳米技术的一个重要研究方向。传统方法主要依赖于外部晶面和内部缺陷（如五重孪晶缺陷）的调控，其特点是等价晶面的等效生长。具体来说，一般晶体都具有多个等价的晶面，它们同时以相同的速度生长，都会形成对称的纳米晶体，例如方块或正八面体形状。陈虹宇课题组长期致力于一种被称为 “ 活性表面生长 ” 的纳米合成方法，在此过程中，配体的动态不均匀分布会使沉积生长集中于少数活性位点，进而导致奇特的不等价生长模式。一般来说，强配体能更好地抑制生长，但强配体的高亲和性是把 “ 双刃剑 ” ，虽能很好地操控纳米线生长，但由于其很难从纳米线表面脱离，会影响后续如催化等应用。而弱配体是否适用于这类基底介导的纳米线生长仍是未知，拓展这类合成方法的发展将有效助力后续应用 ………………………………