2024, ACS Nano——界面化学在接触电阻中的关键作用

文章预览

文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c07267?ref=recommended 亮点： 1. 低接触电阻的实现 ：在超高真空条件下沉积镍接触，单层MoS₂ FETs的接触电阻低至500 Ω·μm，比在高真空下实现的接触电阻低5倍，显著提升了器件性能。 2. 界面化学的分析 ：通过X射线光电子能谱，揭示了UHV条件下Ni与MoS₂之间更强的键合作用，这有助于降低接触电阻。 3. 不同金属接触的比较 ：研究还显示Bi/MoS₂界面在UHV和HV条件下接触电阻无显著差异，表明材料选择对接触工程至关重要。             摘要 单层（ML）半导体过渡金属二硫化物（TMDs）的接触工程是未来先进技术节点中将这些材料用作晶体管沟道的最大挑战之一。源极/漏极接触金属与单层TMD的反应部分导致的强费米能级钉扎通常导致高肖特基势垒，从而限制了ML TMD场效应晶体管（FETs）的电性能。然而， 在微观 ………………………………