关于国产新光刻机的猜想

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我不懂光刻机。这两天到处看看专家的说法，拾了一点牙慧，大体可以小结为： 工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm。 所以： 1、采用氟化氩激光，本身减半后分辨率极限为90nm，为什么要波长减半就要请专家来解释了。 2、通过光学临近矫正（OPC）、多重曝光等技术，可以做到65nm。也可能是浸润式做到的，浸润刚好增大数值口径1.44倍，使得193nm等效为134nm，减半极限刚好约等于65nm。但一般认为不是浸润式，还是干式。 这是喜忧参半的消息。一方面，中国光刻机已经可以用于成熟芯片制造了；另一方面，离世界先进水平还有距离，甚至离不那么先进的水平都有距离。 另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中 ，和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项： 2.1 ………………………………