江西科技师范大学周卫强教授、李丹琴老师，JPS综述：多功能非化学计量钨氧化物：合成、性能及应用

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科学材料站 文 章 信 息 多功能非化学计量钨氧化物：合成、性能及应用 第一作者：李宜泽 通讯作者：周卫强*，李丹琴* 单位：江西科技师范大学 科学材料站 研 究 背 景 随着金属氧化物半导体材料的应用普及和纳米功能材料的发展，相对于块体材料，纳米半导体材料展示出了更为优异的光学，电学性质，钨氧化物得到了广泛的研究。在各种不同形式的氧化钨中，WO 3 是一种n型金属氧化物半导体（MOS），禁带宽度为2.62~3.25eV。它的电子结构和能带结构决定了它具有适宜的导电性和电子传输能力，其晶格结构常规下是WO6扭曲而成的正八面体以点连接成的钙钛矿结构。目前，WO 3 已经被广泛应用于光催化剂，气敏传感器，电致变色材料、光学器件等领域。此外，由于晶格中的氧容易失去形成氧空位和不饱和的W原子，氧化钨也以一系列非化学计量的形式 ………………………………