Nature Materials：晶圆级MoS2制备新方法

文章预览

近日，北京科技大学前沿交叉科学技术研究院张跃院士及张铮教授团队等人在《Nature Materials》上发表重要研究成果，第一作者为姜鹤博士。 大规模生产高质量的二维过渡金属二硫族化物（TMDCs）是二维器件工业制造中的一个重大挑战。张跃院士及张铮教授团队等人提出了一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的方法，该方法能够在常压下快速生长出厘米级尺寸、无晶界的单晶MoS 2 晶畴，这些MoS 2 单晶展现出卓越的均匀性和高质量，具有极低的缺陷密度。由MoS 2 制造的场效应晶体管的统计分析表明，器件良率高，迁移率变化最小。这种2DCZ方法对制造高质量和可扩展的二维半导体材料和器件具有重要意义，为下一代集成电路的制造提供了重要的材料基础。相关成果以“Two-dimensional Czochralski growth of single-crystal MoS 2 ”为题于2025年1月10日发表在Nature Materials上 ………………………………