主要观点总结
本文主要报道了紫光同芯、北方华创、天域半导体以及士兰微在半导体领域的专利获授权情况，分别涉及IGBT及制造方法、刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备以及功率模块。文章还提到了半导体行业的其他热点新闻。
关键观点总结
关键观点1: 紫光同芯取得“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”专利
紫光同芯微电子有限公司取得了一项名为“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”的专利，该专利涉及多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT的技术，可调节器件的电场分布，提高开关速度和降低开关损耗。
关键观点2: 北方华创公布“一种刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备”专利
北京北方华创微电子装备有限公司公布了一项专利，涉及刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备。该专利提供了一种刻蚀方法，通过沉积步和修饰步等技术，提高了开口侧壁的陡直度和表面平整度。
关键观点3: 士兰微取得“功率模块”专利
杭州士兰微电子股份有限公司取得了一项名为“功率模块”的专利，该专利涉及用于控制及驱动的功率模块的设计。此项设计的要点在于功率模块的形状。
关键观点4: 天域半导体公布“表面多孔结构的外延层生长方法”专利
广东天域半导体股份有限公司公布了一项专利，涉及表面多孔结构的外延层生长方法。该方法一步到位得到具有多孔结构的外延层，具有较高的良品率，并解决了下游黄光工艺光刻胶的附着问题。
文章预览
1.紫光同芯“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”专利获授权 2.北方华创“一种刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备”专利公布 3.天域半导体“表面多孔结构的外延层生长方法”专利公布 4.士兰微“功率模块”专利获授权 1.紫光同芯“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”专利获授权 天眼查显示，紫光同芯微电子有限公司近日取得一项名为“多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法”的专利，授权公告号为CN112670335B，授权公告日为2024年9月6日，申请日为2020年12月30日。 本发明涉及一种多次外延制作超结屏蔽栅结构IGBT及制造方法，它包括它包括第二导电类型集电极、第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型柱、第二导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型发射极、绝缘介质层、发射
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