CoolSiC™ MOSFET G2赋能新一代高性能系统

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了解英飞凌全新沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2如何使得SiC性能达到全新水平，同时在所有常见功率变换应用（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中达到最高质量标准。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动器等众多应用中，SiC MOSFET比Si器件具有更好性能。 更高能效 功耗至关重要！了解英飞凌全新沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2如何帮助改进AC/DC、DC/DC、DC/AC功率变换应用中常用拓扑的功率传输。硬开关和软开关MOSFET操作的关键优值，相比前代技术都提高了20%以上。SiC MOSFET标志性的快速开关能力也提高了30%以上。因此，在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、UPS等应用中，G2在所有操作模式下都具有更低功耗。以三相电为例，取决于负载情况， 1200 V CoolSiC™ G2相比前代技术可使功耗降低5% - 30%，从而使得现场进行每瓦功率变换时的损耗大大降低。 英飞凌独一无 ………………………………