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研究背景 在微电子工业中，原子层沉积 (ALD) 是一种通常用于在半导体沟道上沉积高质量高κ介电材料 ( 如 Al 2 O 3 和 HfO 2 ) 的可靠技术，具有原子级精度。然而，直接在 2D 半导体上进行 ALD 沉积面临很大困难。为了解决这些问题，科学家们开发了许多界面工程方法，如等离子预处理和有机或无机种子层的预沉积，以激活 2D 表面，促进随后的 ALD 过程。这些方法虽然在一定程度上解决了成核问题，但也引入了界面电荷散射增强、热稳定性差或整体栅极电容降低等新的问题。 与此同时，范德华 (vdW) 集成方法，即高κ介电材料或前驱物先分别制造，然后物理层叠到 2D 半导体上，提供了一种低能量、无损伤的介电材料集成方法。这种方法能够有效减少界面陷阱态和栅极滞后。然而，在大多数情况下，转移过程中需要使用牺牲层，如石墨烯、聚乙烯醇或 Sr 3 ………………………………