复旦大学梁子骐/上硅所陈立东最新AEL：基于锡基钙钛矿的新型光增强热电器件

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金属卤化物钙钛矿因其高泽贝克系数（S）和极低的热导率（κ）而在热电领域展现出应用潜力，然而其极低载流子浓度导致的低电导率（σ）严重限制了发展。提高钙钛矿的载流子浓度通常需要掺杂，传统的化学掺杂依赖于精细控制掺杂剂浓度，且由于钙钛矿固有的缺陷补偿效应，掺杂效率难以保证。此外，大量的掺杂剂或缺陷也会影响钙钛矿薄膜的结晶性和稳定性。 光掺杂是一种简单、可控且可逆的方法，通过激发持续产生的光生载流子来提高 σ ，已成功应用于 MAPbI 3 单晶和薄膜。然而，光掺杂与常规的电掺杂不同，同时产生的自由空穴和电子导致了严重的双分子复合。这种双极性效应通常在重掺杂的半导体中不明显，但当多子和少子的贡献相当时就不能被忽视，从而导致 S 的显著降低。因此，抑制载流子复合在实现 σ 和 S 的共同提升时具有 ………………………………