2024,Nature Electronics——垂直生长金属纳米片与原子层沉积介质结合，实现亚纳米电容等效厚度晶体管！

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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01202-3             摘要 将原子层沉积的薄介质与二维（2D）半导体集成，可以制造具有亚1纳米电容等效厚度的2D晶体管。然而，惰性表面上的原子层沉积的非均匀成核以及随后的高能量金属蒸发会导致原子薄介质变得不绝缘。在此，我们报告了一种铋氧化物辅助化学气相沉积方法，用于合成具有原子平坦表面的单晶金属纳米片。纳米片垂直生长在基板上，并且可以通过无聚合物的机械压合轻松转移到目标基板上。我们展示了钯纳米片为原子层沉积的平坦氧化铝（Al 2 O 3 ）和氧化铪（HfO 2 ）介质提供了出色的表面，厚度低于3纳米。然后，这些介质可以层压到少层二硫化钼（MoS 2 ）上，形成具有0.9纳米电容等效厚度和约3.9 μF cm −2 电容密度的栅极堆栈。我们制造的MoS 2 顶栅晶体管，使用2纳米厚的Al 2 O 3 ………………………………