2024,ACS Applied Nano Materials——如何通过高κ介电层优化MoS2场效应晶体管性能？

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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsanm.4c02214             摘要 高κ介电材料在MoS 2 场效应晶体管(FET)上的集成对于实现MoS 2 在超缩微纳米电子器件和电路中的应用至关重要。 大多数关于这一主题的研究都是基于剥离的MoS 2 薄片或化学气相沉积（CVD）生长的MoS 2 薄膜，而近年来，原子层沉积（ALD）等技术在MoS 2 生长方面也开始受到关注。在本工作中，我们通过等离子体增强（PE）-ALD方法生长大面积MoS 2 ，并通过电性能表征结合表面化学和高分辨率扫描透射电子显微镜（HR-STEM）分析，评估高κ介电材料对ALD基MoS 2 FET性能的影响。我们在制造的器件上通过PE-ALD或热ALD生长HfOx、AlOx或两者，并展示了除了介电常数外，与介电材料加工相关的三个主要参数还会同时影响MoS 2 FET的电性能并控制其掺杂。这些参数是介电材料的化学计量、其碳杂质含量以及M ………………………………