赛晶携自主研发IGBT、SiC芯片及模块 亮相SPEED 2024

文章预览

4月13日，第十七届中国高校电力电子与电力传动学术年会（SPEED 2024）在安徽宣城举办。 SPEED 2024由合肥工业大学电气与自动化工程学院承办，作为 国内高等院校电力电子与电力传动学科最重要的学术论坛之一，吸引了近千名业界著名专家学者、高校师生，以及业内知名企业的积极参与。作为新能源产业链核心器件和创新技术型企业，赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（以下简称：赛晶半导体）受邀参会。 展览中， 赛晶半导体自主研发IGBT、SiC芯片及模块引发众多专家学者、高校师生热烈关注和深入交流， 并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响 。 赛晶i20系列IGBT芯片组（1200V、1700V） 1700V是IGBT的主流电压等级之一，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压变频器等领域。 赛晶i20系列1700V IGBT芯片组，基于经典 ………………………………