南洋理工田博/KAUST张西祥《自然·通讯》：六方氮化硼 (hBN)

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六方氮化硼 （hBN）作为少数二维绝缘材料之一，对促进未来硅基电子器件和集成电路的发展具有战略意义。 实现高质量、单层的hBN单晶的规模生产对于其在半导体工业中的应用至关重要。 然而，化学气相沉积（CVD）合成hBN的物理机制尚未充分探索。 其形态工程的研究对于研发大规模生产高质量hBN薄膜的合成技术至关重要。 近日，新加坡南洋理工大学 田博研究员 和沙特阿卜杜拉国王科技大学 张西祥教授 团队报导了 一种新型具有六边形形貌的单晶hBN 。 研究团队探索了hBN的CVD生长过程中的物理机制，发现少量氧气的参与可以有效调控单晶hBN岛的形状。通过调节CVD系统中的微弱的氧含量，成功合成了排列一致的六边形hBN岛，并通过这些定向的六边形岛在单晶金属箔衬底上的生长，形成了连续、高质量的单晶单层hBN薄膜。DFT理论计算研究了在微弱氧 ………………………………