学技术 | 世平安森美SiC MOSFET驱动电路解析

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点击蓝字 关注我们 一、前言 第三代半导体技术正迅速崛起，成为科技领域的热门话题。其在高速运算、能源效率和高频通信等领域展现出巨大潜力。为了确保其在实际应用中达到预期效果，全面评估和测试其性能变得尤为重要。本文将探讨SiC MOSFET的特点及其对闸极驱动电路的要求，并提供onsemi安森美半导体的SiC MOSFET驱动方案，为研发工程师提供更多设计选择。 二、MOSFET 功率元件的损耗(Loss) 来 源 (图一) 系说明以半桥Half Bridge (HB) 为拓朴并使用SiC MOS为功率元件的电路，主要功耗(Total Power Loss) 是由导通损失(Conduction Losses) 及切换损失(Switching Losses)所组成，其中MOSFET的导通损失与MOSFET 导通电阻Rds_on有关，切换损失是与MOSFET 的Qg , Qrr , Ciss , Rg , Eon , Eoff等参数有关。 三、开关类型Switching Type：驱动闸极选择Drive Gate Selections (图二) 是针对不同功率元件如 ………………………………