天津理工大学《AFM》：助力有机单晶电学参数评估规范化

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有机半导体单晶材料因其固有的机械柔韧性、出色的光吸收、低缺陷密度为构筑备高性能柔性光电子器件提供了新的机遇。目前，通常利用场效应晶体管（ OFETs）架构对有机单晶材料的电学参数进行评估，即可利用经典的MOSFET模型的转移或输出特性曲线来提取器件/材料场效应迁移率（ μ ），阈值电压（ V T ）等重要指标。然而，传统OFETs制备技术在电极/半导体和半导体/介电界面会引入诸多不良因素，导致有机单晶器件表现出非理想的电流-电压（I-V）曲线，从而引发对材料性能的误判。 近日， 天津理工大学 郑磊 ， 张楷亮 团队联合天津大学 胡文平教授 研究团队 系统地论证了传统OFET制备技术中引入的界面电阻、载流子陷阱、散射效应等不良影响，并进一步提出了一种高效的界面协同策略来获得具有理想I-V曲线的有机单晶OFETs器件，该项工作不仅 ………………………………