聊产品 | 英飞凌 CoolSiC™ MOSFET G2赋能新一代高性能系统

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点击蓝字 关注我们 英飞凌推出的全新沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2，正在将碳化硅（SiC）性能提升到新的高度，并在AC-DC、DC-DC和DC-AC等常见功率变换应用中达到最高质量标准。无论是光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电还是电源和电机驱动器，SiC MOSFET都比传统的硅器件表现更优。 更高能效 功耗是关键！英飞凌的CoolSiC™ MOSFET G2在AC/DC、DC/DC、DC/AC功率变换应用中，显著提升了功率传输效率。相比前代技术，硬开关和软开关MOSFET操作的关键优值提高了20%以上，快速开关能力提升了30%以上。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电和UPS等应用中，G2在所有操作模式下都表现出更低的功耗。以三相电为例， 1200 V CoolSiC™ G2相比前代技术可使功耗降低5%至30%，大大减少了每瓦功率变换时的损耗。 英飞凌独特的.XT互连技术（采用TO-263-7、TO-247-4分立式封装）进一步 ………………………………