技术分享 | MOSFET开关过程详解

文章预览

前言 由于MOSFET是电压型器件，当 驱动电压Vgs大于Vth电压 就可以开通，开通就是给寄生电容充电的过程，同理，关断就是寄生电容的放电过程。 寄生电容 输入电容 Ciss=Cgs+Cgd ，由DS短路测得 输出电容 Coss=Cgd+Cds ，GS短路，Cgd和Cds并联所得 反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。这个电容不是恒定的，它随着G极和D极间电压变化而迅速变化，同时会影响G极和S极电容的充电 开通过程 Vth ——MOSFET的GS极之间开启阈值电压，这个阈值电压（Gate-source threshold voltage），完整的标记为 VGS(th) ，是MOSFET的重要参数之一，一般简单标记为Vth，定义为可以在源极和漏极之间形成导电沟道的最小栅极偏压。 VP ——米勒台阶电压，是指在MOSFET开关过程中，栅极电压在一定时间内保持稳定的电压值。在这个时间段内，栅极电压不随着栅极电流的变化而变化。 MOSFET从关闭到完 ………………………………