结合扩展和 STED 显微镜揭示了 ASD 相关 SHANK3 缺陷的大脑区域突触后纳米结构指纹的改变

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作者开发新方法使用共聚焦显微镜和 STED 显微镜发现了不同的形状轮廓可以作为跨大脑区域和基因型的小鼠突触后支架的指纹，以及在 SHANK3 缺陷条件下突触下结构域的空间和分子组织的改变。 近年超分辨显微技术如STED、SIM、STORM等实现了光学上的突破，实现了更细致地研究细胞结构。但是这些技术应用在厚组织时面临困难。与之不同，展张显微镜通过将样本嵌入可扩大胶体实现物理放大，突破了光学分辨率限制，对神经系统组织研究极为适用，包括神经突触。 突触的纳米级组织极为复杂，各种蛋白精细排列形成不同亚区，在神经传导和可塑性中起关键作用。这对理解神经发育障碍如自闭症至关重要。SHANK3是突触后密度浓集的重要结构蛋白，SHANK3缺陷与这类障碍相关。 本研究旨在优化展张显微镜在小鼠和人脑组织样品中的应用，并兼容STED显微镜 ………………………………