主要观点总结
本文介绍了韩国内存芯片制造商三星和SK海力士在其即将推出的3D DRAM中采用混合键合技术的消息。混合键合技术能够使芯片垂直堆叠并通过硅通孔或微铜线连接，提高存储单元密度。三星也在研究4F Square DRAM并计划应用此项技术。此外，文章还提及了混合键合技术在HBM制造中的应用，以及未来量产计划。
关键观点总结
关键观点1: 韩国内存芯片制造商采用混合键合技术
三星和SK海力士将在其即将推出的3D DRAM中应用晶圆键合技术，该技术也被称为混合键合，可使芯片垂直堆叠并连接，提高存储单元密度。
关键观点2: 混合键合技术的特点
混合键合技术通过硅通孔或微铜线连接芯片，I/O直接连接而无需凸块，能够实现芯片的垂直堆叠。
关键观点3: 三星研究4F Square DRAM并计划应用混合键合技术
三星正在研究4F Square DRAM，并计划将混合键合技术应用于其生产中。该技术有助于提高存储单元密度，并有望应用于高带宽存储器（HBM）的制造中。
关键观点4: 混合键合技术在HBM制造中的应用
混合键合技术是下一代封装技术，能够实现在更低的高度键合更多芯片堆叠，同时提高散热效率。三星已经使用混合键合技术制造了HBM 16H样品，并表示计划在2025年制造HBM4样品并进行量产。
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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： i c ba n k）综合自theelec，谢谢。 韩国内存芯片制造商三星和 SK 海力士预计将在其即将推出的 3D DRAM 中采用混合键合技术。 SK海力士在上周于首尔举行的国际内存研讨会2024会议上表示，将在其3D DRAM生产中应用晶圆键合技术。 晶圆键合也称为混合键合，其中芯片垂直堆叠并通过硅通孔 (TSV) 或微铜线连接，并且 I/O 直接连接而无需凸块。 根据芯片的堆叠方式，它们被称为晶圆到晶圆、晶圆到芯片和芯片到芯片。 3D DRAM 是 DRAM 的未来概念，其中 DRAM 单元垂直堆叠，就像今天的 NAND 单元垂直堆叠一样。 三星和 SK 海力士计划在不同的晶圆上制造单元和外围设备，并通过混合键合将它们连接起来。 必须这样做，因为像现有的 DRAM 那样将外围设备附加在同一晶圆上的单元层
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