中科院物理所Phy. Rev. Lett.：通过表面硒替代实现二维碲化硒半导体的n型掺杂！！

文章预览

本工作室建立了微信群 促进同学们之间的交流学习并有效讨论问题，可通过添加编辑微信进群。 1.编辑微信：1）FEtunan（微信号）2）18600648928 2.工作室提供：二维材料生长及器件制作；科研绘图技巧；二维相关报告或会议推送；二维读博导师推荐、课题组招聘需求等。 欢迎大家投递中文的工作宣传稿及广告，具体联系微信：FEtunan（微信号） 中国科学院物理研究所 郭建东， 王炜华 团队 发表了题为“ Doping Elemental 2D Semiconductor Te through Surface Se Substitutions ”的工作在 Physical Review Letters  期刊 上。 本文提出了一种通过表面等价替代实现二维(2D)半导体硒化碲(Se=Te)的高效掺杂机制。由于硒(Se)和碲(Te)的电负性不同，在特定晶格位点上用Se替代Te引入了电偶极子，导致电荷重新分布，降低了功函数，并将Te薄膜从p型半导体调整为n型半导体。这种掺杂方法最 ………………………………