专注于更佳的热管理！KEC半导体650V碳化硅肖特基二极体: SMBRKxxA65BIS3及SMBRKxxA65BCS3系列亮相

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点击蓝字 关注我们  前言 碳化硅肖特基二极体在提高热传导效率和散热效果方面表现优异，在高功率和高温应用中，碳化硅肖特基二极体提供了更好的效率和热管理，从而实现了更加紧凑和可靠的系统。 以下列出它的三个关键优势: 首先是高热导率： SiC的热导率是硅的三倍以上，能更有效地散热，减少热积聚。 二是高温操作能力： SiC器件能在更高的温度下工作（可达175°C），比硅器件更适合高温环境。 三是更低的开关损耗： SiC器件的开关速度比硅器件快约十倍，降低了开关损耗，减少了热量产生。 产品特色 ► 零开关损耗 ► 效率更高 ► 更小的散热片 ► 易于并联 脚位结构图 设计利益 KEC半导体推出的650V碳化硅(SiC)肖特基二极体SMBRKxxA65BIS3及SMBRKxxA65BCS3系列适用于各种应用，包括工业电源、电信电源、太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充 ………………………………