硅光电倍增管(SiPM)发展历史与研究现状

主要观点总结

本文介绍了硅光电倍增管（SiPM）的发展历程及其在辐射探测领域的应用。从PN结的光伏现象开始，到PIN光电二极管的出现，再到基于硅基PN结的雪崩击穿原理的研究，形成了SiPM的基础。文章详细描述了SiPM的技术发展，包括其关键技术的演变、产品改进以及不同生产商的产品性能对比。文章还指出了SiPM的优点，如高探测效率、改善的光敏面积、暗噪声和温度稳定性等。

关键观点总结

关键观点1: 硅光电倍增管（SiPM）的发展历程

从PN结的光伏现象开始，到PIN光电二极管的出现，再到基于雪崩击穿原理的研究，SiPM的技术不断演进。

关键观点2: SiPM的关键技术改进

通过改进APD的线性工作模式和盖革工作模式，解决了噪声和“死区时间”过长的问题。此外，还有多像素结构、P-on-N结构SiPM等技术的改进和应用。

关键观点3: SiPM的应用及全球产品现状

SiPM产品在全球范围内的日渐成熟，其性能基本满足各个领域的应用需求。不同生产商的SiPM产品性能对比，包括光敏面积、增益、温度稳定性等参数。

关键观点4: 国内科学研究团队在SiPM器件结构上的突破

介绍了国内科学研究团队在SiPM器件结构上的突破，包括采用外延淬灭电阻方法、浅沟槽隔离方法等新技术，实现了填充因子与探测效率的最大化。

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