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由于成本效益和带隙可调的优点,无空穴传输层(HTL)的CsPbI X Br 3− X 碳基无机钙钛矿太阳能电池(C-IPSC)成为单结和串联太阳能电池的新兴候选者。由于碳电极与钙钛矿表面直接接触,界面处的能垒和缺陷限制了功率转换效率(PCE)的提高。 在这项工作中, 北京航空航天大学Tingting You和Penggang Yin等人 首先报道了一种 CsPbI 2.75 Br 0.25 无HTL C-IPSC的制备方法,并开发了一种有效的表面硫化调节(SSR)策略,以促进空穴提取并抑制2-(硫氰基甲硫基)无机钙钛矿的非辐射复合。)苯并噻唑(TCMTB)表面改性。引入的S 2−阴离子与不配位的Pb离子形成强结合,抑制钙钛矿降解反应,有效钝化表面缺陷。此外,SSR策略形成的PbS构建了梯度异质结,促进了排列能级并增强了空穴提取。 通过能带弯曲在钙钛矿界面处感应出额外的背表面场,这增加了开路电压(
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