台湾成功大学Adv. Mater.: 石墨烯上外延生长的铁电六方氮化硼！！

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台湾成功大学 Yi-Chun Chen，Chung-Lin Wu等人 发表了题为“Epitaxial Ferroelectric Hexagonal Boron Nitride Grown on Graphene ”的工作于 Advanced Materials 期刊上。 本文报道了一种在单晶石墨烯（生长于偏切4H-SiC（0001）基底）上外延生长多层铁电六方氮化硼（h-BN）薄膜的方法。通过氮等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）技术，成功实现了具有非中心对称堆叠结构的h-BN多层膜的层控生长。结合密度泛函理论（DFT）计算与实验表征（如角分辨光电子能谱ARPES、压电力显微镜PFM、扫描透射电子显微镜STEM等），揭示了h-BN/graphene异质界面处莫尔超晶格诱导的本征极化特性，并验证了多层h-BN中通过层间滑动实现的可切换面外极化（铁电性）。该研究为二维范德华材料的堆叠调控外延生长提供了新策略，并为下一代非易失性、可重构二维铁电器件奠定了基础。 研究背景 传统范德华材 ………………………………