三安集成参与的射频芯片项目荣获国家科学技术进步一等奖

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三安光电 (SSE:600703)全资子公司三安集成作为射频芯片研发、制造和服务公司，建立了自主工艺技术平台，与高校、通讯龙头企业共同完成的项目“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”于近日荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。 三安集成在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的研发和产业化工作，与高校、通讯龙头企业协作攻克了5G移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器核心工艺技术，形成了自主知识产权氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通过了5G组件和系统的应用验证，实现了在客户端的稳定批量出货。 5G技术对于射频功放的工作频率、能效、带宽和线性度均提出了更高的要求，氮化镓作为第三代半导体材料具备相较传统硅基射频器件更好的高频特性，被业界认为是目前5G基站功放的最优解 ………………………………