香港大学/台湾大学合作，Nature Nanotechnology！

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▲ 第一作者：Yu-Cheng Lu 通讯作者：Lain-Jong Li， Vita Pi-Ho Hu 通讯单位：香港大学，台湾大学 DOI：10.1038/s41565-024-01693-3  （点击文末「阅读原文」直达链接）     研究背景 研究人员一直在开发用于电子器件的二维材料（2DM），这些材料被广泛认为是未来技术中硅的潜在替代品。在各种材料中，二维过渡金属卤化物因其优异的电子性能和相对先进的发展而最有前景。尽管基于二维过渡金属卤化物的场效应晶体管（FETs）在超缩放器件中的性能已超过硅，但在电路层面上基于2DM的技术与基于硅的技术的研究仍然缺失。     研究问题 本文比较了从16纳米到1纳米不同技术节点上的基于2DM和Si FET的静态随机存取存储器（SRAM）电路，揭示了基于2DM的SRAM在稳定性、运行速度和能效方面展现出 比Si SRAM 更优的性能。本研究利用计算机辅助设计技术，采用校准的MoS 2 ………………………………