2nm Platform Technology

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TSMC的N2技术作为先进的2nm CMOS平台技术，专为A1、移动和HPC应用中的高能效计算开发。相比现行的3nm技术，N2技术有显著优势:可实现15%的速度提升,30%的功耗降低，芯片密度提升超1.15倍。该技术运用新的铜可扩展RDL、平面钝化及TSV技术，与3DFabricTM技术整体优化，以满足AI、mobile和HPC产品设计的系统集成与扩展需求。 目前，N2技术已通过晶圆级可靠性要求与1000小时的HTOL鉴定，在256Mb HC/HD SRAM及由CPU/GPU/SoC模块组成的逻辑测试芯片(>3Bgates)方面成效良好。N2技术正处于风险生产阶段(risk production)，预计2025年下半年量产。 N2 的5%速度增强版本 N2P 与N2完全GDS兼容，2025年完成认证，2026年量产。  从28纳米提升到N2的超过140倍节能计算的加速，如图1所示。   N2在预计的成本和市场上市时间内，提供全节点扩展，具有吸引人的PPA值：约15%的速度提升或约30%的功耗降低 ………………………………