干货 | 一文搞懂IGBT的损耗与结温计算

文章预览

与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。 本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。 损耗组成部分 根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为 导通损耗 和 开关（开通和关断）损耗 ，而二极管损耗包括 导通 和关断损耗 。准确测量这些损耗通常需要使用示波器，通过电压和电流探针监视器件运行期间的波形。测量能量需要用到数学函数。确定一个开关周期的总能量后，将其除以开关周期时间便可得到功耗。 图 1. TO−247 封 ………………………………