英特尔最新FinFET制程是其代工战略中的关键

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点击蓝字 关注我们 SUBSCRIBE  to US INTEL 在最近的超大规模集成电路（VLSI，VLSI Symposium，https://www.vlsisymposium.org/）研讨会上，英特尔详细介绍了其最新的“Intel 3”制造工艺。与之前的“英特尔 4”工艺相比，Intel 3-PT工艺在相同功耗下性能提升了 18%。虽然 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术自 2011 年推出以来已被广泛采用，最后一代使用 FinFET 结构的产品，标志着向更先进技术的过渡。此外，这项技术对该公司成为代工厂并为其他公司生产高性能芯片的计划至关重要。 Intel 3工艺的重要特征之一是引入了偶极功函数金属（DFM），它允许芯片设计人员选择不同阈值电压的晶体管。阈值电压（VT_TT）决定了晶体管开启或关闭的水平，对于芯片的整体性能至关重要。工艺可以在单个芯片上实现四种不同阈值电压的晶体管，从而优化不同功能模块的性能。例如，缓 ………………………………