历史一幕！长江存储向三星授权关键技术专利

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（文/吕栋 编辑/张广凯） “长江存储实现了对三星的技术专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又一次重大鼓舞。”行业媒体如此评价称。 2月24日，韩国媒体ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。 三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。 观察者网就该报道联系长江存储方面，对方暂未置评。 从韩媒报道来看，三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数 ………………………………