研究前沿：二维材料WSe2 FET-芯片集成 | Nature Nanotechnology

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半导体semiconductor产业正在向“更摩尔More Moore”时代过渡，主要是因为采用了超越传统二维缩放限制的三维 three-dimensional (3D)集成方案。尽管创新的封装解决方案，使3D集成电路 integrated circuits (ICs) 在商业上可行，但硅通孔和微凸点的加入，增加了面积开销，并引入了限制整体性能的寄生电容。 单片3D集成Monolithic 3D integration (M3D) 是3D集成电路IC的未来，但在硅集成电路IC中应用，依然面临障碍，因为上层热处理预算有限，这会降低器件芯片性能。为了克服这些限制，新兴材料（如碳纳米管和二维半导体）已集成到硅集成电路的后端。 近日，美国 宾夕法尼亚州立大学（The Pennsylvania State University）Rahul Pendurthi，Saptarshi Das等，在Nature Nanotechnology上发文，报道了互补硒化钨WSe2鳍式场效应晶体管field-effect transistor，FET的单片三维集成M3D集成，其中 n-型场效应 ………………………………