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国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓↓↓ 7月30日消息,据台媒 报道称,台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。 对此,台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示,仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性,目前采用时间未定。 上个月,ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机,价值达 3.8 亿美元。 在此之前,ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块,并已于今年 4 月 18 日完成组装。 ASML 表示,这台光刻机重量高达 150 吨,相当于两架空中客车 A320 客机,全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运,一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才
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