【进展】中国科学院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展；中国科大在自旋神经形态器件研究中取得新进展

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1、中国科学院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展 2、北京大学电子学院陈景标研究团队在新型激光领域取得重要进展 3、中国科大在自旋神经形态器件研究中取得新进展 4、西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等在国际顶级期刊上发表重要科研成果 5、上海交大严智明等人揭示被掺杂的莫特绝缘表面可通过电荷歧化形成一种截然不同的绝缘基态 1、中国科学院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展 近期，微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下，在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索，取得了重要进展。 在高频高效率器件方向，团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件，解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题，在连续波测试条 ………………………………