南方科大：单片3D集成p型晶体管——空前的空穴场效应迁移率

主要观点总结

本文介绍了南方科技大学深港微电子学院的最新研究成果，即在Nano Letter上报道的一种反应磁控溅射SnOx薄膜晶体管（TFT）。该器件具有超高的空穴迁移率，并成功与CMOS结合，制造了全氧化物CMOS反相器，为实现超越摩尔缩放的新型计算架构提供了可能。此外，文章还提供了关于二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务的信息。

关键观点总结

关键观点1: 研究成果亮点

该研究实现了前所未有的空穴迁移率，达到38.7 cm²/V·s，并且成功制造了全氧化物CMOS反相器，具有低功耗特性，推动了氧化物半导体技术的发展。

关键观点2: 研究背景

互补金属氧化物半导体（CMOS）后端线（BEOL）层中的单片3D集成电路（IC）需要寻找允许低热预算过程的高性能半导体。氧化物半导体是当前研究的热点，具有几个引人注目的优势，如低电流、高载流子迁移率、低加工温度等。

关键观点3: 研究成果

研究人员通过反应磁控溅射SnOx TFT，发现控制SnOx薄膜中O2掺入量的工艺步骤之间存在相互作用。采用优化的沉积工艺和退火工艺，实现了空穴场效应迁移率的大幅提升，并且成功制造了全氧化物CMOS反相器，显示出理想的rail-to-rail特性和超低静态功耗。

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