说碳化硅高富帅 是有原因的！

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  文章 概述    SiC MOSFET 因其独特的物理和电气性能，在电源、电动车和太阳能逆变器等高要求应用中表现出色。本文深入探讨了SiC的 基本特性 、 优势 、 减少体积 以及 加速其研发的方法 ，并通过SiC MOSFET电源模块方案来进行 实例分析 ，旨在为相关设计提供有益的参考与指导。 1. 什么是碳化硅（SiC）MOSFET？ 硅碳化物（SiC）MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管）是使用碳化硅作为半导体材料而非传统硅的功率半导体器件。 这些晶体管具有更高的阻断电压、更好的热导率、更低的on-state电阻，并且击穿强度约比常规硅MOSFET大10倍。 由于减少的开关损耗，它们提供了高效率，并实现了高功率密度。相比传统的基于硅的MOSFET，它们具有多个优势。 Infineon   CoolSiC ™  1200V SiC Trench MOSFET -   IMBG120R090M1H Nexperia   1200 V, 80 mΩ, N-channel SiC MOSFET -   NSF080120L4A ………………………………