西电常晶晶、林珍华、高香香AELM：基于溶液法的Ga₂O₃光突触忆阻器

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导读 西安电子科技大学常晶晶课题组 报道了题为“Photo-synaptic Memristor Devices from Solution-processed Ga 2 O 3 Thin Films”的研究论文。该研究中，采用溶液法制备基于Ga 2 O 3 阻变存储器的光突触器件。通过优化溶液浓度和退火温度等因，实现非易失性存储，器件开关比大于104，阻态稳定保持时间超过104 s,有着较高的存储寿命。同时，以紫外信号作为刺激信号，观察到兴奋性突触后电流、双脉冲易化等突触行为，证明了其实现模拟突触的可行性。最后，通过模拟一系列学习-遗忘过程展示了该器件在神经形态视觉领域具有巨大应用潜力。 01 研究背景 人脑具有高度发达的感觉-记忆-计算能力，而人脑中信息的传递和处理是通过大量的神经元和突触来完成的。突触作为神经元之间的重要连接，具有同时存储和处理信息的功能，赋予神经元显著的计算能力。因此， ………………………………