金刚石：开辟半导体发展的新赛道

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在半导体技术蓬勃发展的进程中，第四代半导体材料成为了研究焦点，而金刚石以其优异的性能脱颖而出。金刚石作为第四代半导体材料，正逐渐在半导体领域开辟新的天地，为解决传统半导体面临的诸多问题提供了全新的思路和方案。 金刚石半导体的特性有哪些？ （一）超宽带隙 金刚石具有超宽带隙，其带隙宽度约为5.47eV。这种超宽带隙特性使得金刚石在高温、高功率、高频率等极端条件下仍能保持稳定的电学性能。与传统的硅、锗等半导体材料相比，宽的带隙可以承受更高的电场强度，大大减少了电子在传输过程中的散射，从而为实现高速、大功率的电子器件奠定了基础。 （二）高载流子迁移率 金刚石中的载流子迁移率极高，电子迁移率可达到4500cm²/(V·s)。高载流子迁移率意味着电子在材料中移动速度快且受到的阻力小，这对于制造高频 ………………………………