Nature Nanotechnology | 新加坡国立大学：石墨烯掺杂中超弹性导电现象与负光电阻的关系！

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点击“蓝字”关注我们，了解更多信息 研究背景 光照射材料时，能够引起其电导率的变化，这一现象称为光电阻。在半导体中，光电阻表现为负值，因为光诱导的电子跃迁增加了参与输运的电荷载流子数量。而在超导体和普通金属中，光电阻则表现为正值，原因在于超导态的破坏和动量弛豫散射的增强。近年来，掺杂金属石墨烯中观察到了这一标准行为的定性偏差。研究表明，连续波太赫兹（THz）辐射可以使狄拉克电子与晶格热解耦，激活流体动力学电子输运。在这一状态下，石墨烯狭窄区域的电阻因THz驱动的超弹流动而降低。 然而，掺杂石墨烯的电阻对电子温度（T e ）的变化表现出免疫性，这使得其在技术上难以用于灵敏的光电探测器，尤其是在太赫兹范围内。由于电子—电子Umklapp碰撞在石墨烯中被大幅抑制，T e 相对于晶格温度的升高并未 ………………………………