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B100和B200是否存在设计缺陷？源于哪里？ 问题在chiplet上，之前英伟达都没有使用chiplet的技术，它的两个die之间的互联出现了信号及设计上的问题。另外一个是CoWoS-L涉及到了一些材质的问题，它要解决一些未来产品的可靠性的问题，比如如何去在高温下防止它的变形，以及它中间的硅层如何设计。所以就导致它的CoWoS-L良率较低。 是标准单元的设计问题？ 标准单元指的就是chiplet之间的互联解决方案，它本身的这种互联是多路SerDes来实现的，它每路SerDes本身的频率是256G，但是它有很多组这样子的设计是总线去把它连接起来，实现两个之间的这种高转换，就是它在这个SerDes的单元上出现了问题。 之前经历了流片和很多次测试，为什么没有发现这些问题？ 首先这种chiplet技术对于某些公司来讲可能并不很新鲜，但是对于英伟
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