新品I 优恩半导体推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件

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点击蓝字，关注我们 优恩推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件 深回扫（Deep Snap Back）工艺，有效降低TVS管VC残压值。 采用CSP封装技术，大幅降低了TVS管电容值。 小体积：DFN0603、DFN1006封装。    在当今高度集成化、小型化和智能化的电子产品市场中，EOS/ESD静电放电防护已成为确保产品稳定性和可靠性的关键因素。随着USB 3.0/3.1、HDMI 2.0/2.1等高速数据接口的广泛应用，EOS/ESD现象对电子产品的威胁日益加剧。      由于高速信号传输端口，信号的传输速率极高，对保护器件的寄生电容要求非常严格，低寄生电容的ESD保护器件能够减少对信号传输的干扰，保证信号的完整性和传输效率，同时在高速信号传输中，低VC是保护器件选择的关键因素之一。VC越低保护效果越好，从而更有效地保护后级芯片不受损害。      为此，优恩半导体采 ………………………………