昕课堂丨SiC MOS的栅极驱动设计--驱动电压

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SiC MOSFET的门极驱动设计并不复杂。和硅基IGBT、硅基超结MOSFET 基本类似。设计上可简单分解为硅基IGBT的负压驱动设计能力+硅基超结MOSFET的高速开关设计能力。 与硅基器件相比，SiC MOSFET 的跨导（增益）更低，内部栅极电阻更高，其栅极导通阈值在高温下可能低于2 V。因此，在关断状态下，必须向SiC MOSFET 施加负栅源电压（建议为-3~-5 V）。SiC 器件的栅源电压通常要求在18 V ~ 20 V，以降低导通状态下的导通电阻（RDS）。SiC MOSFET 工作在低VGS 下可能会导致热应力或由于高RDS 而可能导致故障。与低增益相关的其他影响会直接影响几个重要的动态开关特性，在设计适当的栅极驱动电路时必须考虑这些影响，包括驱动电压，外接栅级， 驱动能力（输出峰值电流、开关频率等），栅极电荷（米勒平台)，传输延迟时间（一次侧-二次侧之间等)，保护功能（Miller Cl ………………………………