【硬件资讯】存储器领域有新变化？美光进一步加强HBM3E性能！三星带来更大QLC！PCIe 5.0，慧荣不再掉队？

文章预览

新 闻1： 美光推出12层堆叠的HBM3E36GB容量，提供1.2TB/s带宽 美光 宣布 ，推出12层垂直堆叠的HBM3E，拥有36GB容量，面向用于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载，比如英伟达H200与B100/B200 GPU产品。美光表示，相比于年初量产的8层垂直堆叠的HBM3E，在给定的堆栈高度下，新产品无论堆叠层数还是容量都增加了50%，满足了更大的AI模型运行的需求，避免了多处理器运行带来的延迟问题。 美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数据通道，采用了1β（1-beta）工艺打造，封装规格为11mm x 11mm，堆叠12层的24Gb裸片，提供了36GB容量，带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s。美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，封装互连缩小了25%，功耗比起竞品降低了30%。美光凭借先进CMOS技术创新，结合先进的封装技术，提供了改善热阻抗的结构解决方案，有助于改善立方体的整体 ………………………………