特邀综述 | GaN HEMT及GaN栅驱动电路在DToF激光雷达中的应用

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作者： 秦尧，明鑫，叶自凯，庄春旺，张波 单位： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 摘要： DToF （ Direct Time-of-Flight ）激光雷达通过直接测量激光的飞行时间完成距离测量和地图成像，应用于自动驾驶的 DToF 激光雷达需要具备更高的分辨率和更宽的检测范围。 GaN 高电子迁移率晶体管（ HEMT ）相对于传统 Si 基功率 MOSFET 的优异特性使其非常适合应用于自动驾驶中的 DToF 激光雷达，而 GaN HEMT 性能的发挥依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的 GaN 栅驱动电路。针对自动驾驶应用中的 DToF 激光雷达系统，从系统电路到核心元器件，分析了激光二极管驱动电路面临的设计挑战， GaN HEMT 的优势以及 GaN 栅驱动电路面临的设计挑战，并介绍了适合该应用的 GaN 栅驱动电路。 关键词： DToF 激光雷达；激光二极管驱动电路； GaN HEMT ； GaN 栅驱动电 ………………………………